图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 800 |
| 晶体管类型 | PNP |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 300mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 100 @ 500mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 频率转换 | 9MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 3D2PAK |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 100@500mA@5V |
| 最大工作频率 | 9(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.3A@3A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1500 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | D2PAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1500 |
| 最大基地发射极电压 | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 9(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | D2PAK |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 9MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 300mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100µA (ICBO) |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | D²PAK |
| 功率 - 最大 | 1.5W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 5mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | KSB834WYTMCT |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 7 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 0.5 V |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 连续集电极电流 | - 3 A |
| 增益带宽产品fT | 9 MHz |
| 系列 | KSB834W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 10.67 mm |
| 身高 | 4.83 mm |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
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